MOCVD垂直噴淋式反應器數(shù)值模擬和分析

8700字 24頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)

摘要：
金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是制備LED、半導體激光器和大功率電子器件的關鍵技術。深入了解MOCVD反應器內(nèi)的薄膜生長過程，對于優(yōu)化反應器設計、控制薄膜生長速率和提高薄膜生長質(zhì)量，具有重要意義。
本文簡介了GaN的MOCVD生長方法，對MOCVD的反應器做了大致的介紹；簡述了MOCVD的原理；對國內(nèi)外的MOCVD設備的現(xiàn)狀做了大致的說明；并且結合fluent軟件，對垂直式噴淋式MOCVD反應器襯底轉速、氣體進口流速等關鍵（襯底轉速、氣體進口流速）因素對GaN的影響進行了數(shù)值模擬，并且對模擬結果進行了分析。
模擬結果證明 對于溫度分布而言，進氣口速度越大越好；對于反應物濃度分布而言，進氣口速度越小越好，轉速越快越好。但進氣速度太大會導致氣體源的浪費。因此應該綜合考慮選擇合適的進氣速度；射流速度越大，對薄膜形成也就越有利。但是，對于反應物濃度分布，可能較低的進口速度會比較好，射速過快可能會產(chǎn)生湍流，也可能會形成死區(qū)。