半導(dǎo)體材料InGaN生長的相分離研究

9200字 26頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 寬帶隙Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料在新型光電器件中具有潛在的應(yīng)用它的研究目前已成為材料科學(xué)中一個極其活躍的前沿。這類材料的直接帶隙結(jié)構(gòu)和寬帶隙特性以及它們所具有的強度大熔點高熱導(dǎo)電性好等優(yōu)異物理性質(zhì)使其在光電器件尤其是在綠色、藍(lán)綠色和藍(lán)色發(fā)光器件中具有潛在的重要應(yīng)用。
半導(dǎo)體材料InGaN借由改變InN和GaN成分的比例，帶隙可以從0.70 eV連續(xù)變到3.42 eV，基本上覆蓋了整個可見光波段，還包括了部分紅外波段，且均具有直接帶隙，因此它在光電器件和光存儲器件方面都有著很大的利用價值；因其擊穿電壓和電子飽和速率較高，在微波、電力工業(yè)中新型電子開關(guān)等高頻大功率電子器件領(lǐng)域有著應(yīng)用前景；此外，其高熱導(dǎo)率、強原子鍵、高化學(xué)穩(wěn)定性等屬性在高溫大功率器件方面也有廣闊前景。
本文著重介紹InGaN相分離形式、產(chǎn)生條件、誘發(fā)以及混溶隙的計算和模擬出圖，其中，混溶隙將成為代表InGaN這類合金外延生長的一個顯著問題，另外簡要介紹了InGaN基于MOVPE的熱力學(xué)分析，通過金屬有機化合物氣相外延（MOVPE）為 合金計算平衡分壓與混晶氣-固組分的相圖。


關(guān)鍵詞: InGaN材料 相分離 混溶隙 熱力學(xué)分析 MOVPE