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組成對低溫燒結(jié)鈦酸鋇鍶基電容器陶瓷性能的影響.doc

  
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組成對低溫燒結(jié)鈦酸鋇鍶基電容器陶瓷性能的影響,effect of composition on properties of low-temperature sintering bst ceramics for capacitor applications1.25萬字 31頁原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)摘要 (basr)tio...
編號:99-1443161大小:784.50K
分類: 論文>材料科學(xué)論文

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組成對低溫燒結(jié)鈦酸鋇鍶基電容器陶瓷性能的影響
Effect of composition on Properties of low-temperature sintering BST Ceramics for Capacitor applications

1.25萬字 31頁 原創(chuàng)作品,已通過查重系統(tǒng)


摘要 (BaSr)TiO3是典型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電材料它在室溫下具有高的介電常數(shù)和低的介電損耗是作為片式多層陶瓷電容器(Multiplayer Ceramic Chip Capacitors,英文縮寫(MLCC))的優(yōu)良陶瓷介質(zhì)材料。為降低MLCC產(chǎn)品的成本,就必須實現(xiàn)鈦酸鋇鍶基陶瓷的低溫燒結(jié)。本課題采用傳統(tǒng)固相法制備了鈦酸鍶鋇基(Ba0.65Sr0.35TiO3)電容器陶瓷,研究了不同 Nd2O3摻雜含量以及燒結(jié)溫度對體系微觀形貌及介電性能的影響。并用X-射線衍射(XRD)分析了陶瓷樣品的晶相組成,利用掃描電鏡(SEM)分析了不同燒結(jié)溫度得到的陶瓷顯微結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明:樣品為純鈣鈦礦結(jié)構(gòu),Nd2O3的摻雜可以導(dǎo)致晶格變大。陶瓷樣品表面呈顆粒狀,Nd2O3摻雜可以改變表面顆粒尺寸;當Nd2O3摻雜量過大時,會導(dǎo)致部分晶粒異常長大。當Nd2O3摻雜量為0.1wt.%時,陶瓷致密性最好。當Nd2O3摻雜量小于0.1wt.%時,樣品介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的增加而表現(xiàn)出上升趨勢;當Nd2O3摻雜量大于0.3 wt.%時,樣品介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的增加先增加后降低。Nd2O3摻雜量增加時,樣品的介質(zhì)損耗表現(xiàn)為先增加后減少的趨勢;975℃下燒結(jié)的Nd2O3摻雜量為2wt.%的樣品的介電性能最好,介電損耗最小(ε=496;tanδ=0.004)


關(guān)鍵詞:多層陶瓷電容器 固相法 摻雜 介電性能