流延浸漬法制備鈦酸鍶鋇基復(fù)合薄膜.doc
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流延浸漬法制備鈦酸鍶鋇基復(fù)合薄膜,流延/浸漬法制備鈦酸鍶鋇基復(fù)合薄膜bst matrix composite films prepared by tape casting and dip coating method1.6萬(wàn)字 36頁(yè)原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)摘要： 本文采用流延法制備了ba0.75sr0.25tio3陶瓷片，再用有機(jī)溶劑n-甲基吡咯烷酮...
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流延/浸漬法制備鈦酸鍶鋇基復(fù)合薄膜
BST matrix composite films prepared by tape casting and dip coating method
1.6萬(wàn)字 36頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)
摘要： 本文采用流延法制備了Ba0.75Sr0.25TiO3陶瓷片，再用有機(jī)溶劑N-甲基吡咯烷酮（NMP）與聚偏氟乙烯（PVDF）配制不同溶度的PVDF溶液，最后用浸漬法制備出BST/PVDF復(fù)合薄膜，利用 X 射線衍射 ( XRD )、掃描電子顯微鏡 (SEM )等手段對(duì)材料的物相組成和微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，利用阻抗分析儀等儀器對(duì)材料的介電性能進(jìn)行了研究。
XRD分析表明BST薄膜為鈣鈦礦相，并且PVDF呈β相。SEM分析表明PVDF與Ba0.75Sr0.25TiO3陶瓷片很好地進(jìn)行了復(fù)合，BST/PVDF復(fù)合薄膜呈三層結(jié)構(gòu)PVDF-BST/PVDF-PVDF，PVDF很好地滲透進(jìn)BST陶瓷片孔隙。并且實(shí)驗(yàn)所制備的BST/PVDF復(fù)合薄膜具有良好的柔韌性。
介電頻譜分析表明，在100Hz到1kHz的低頻率段內(nèi)，BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨頻率的增加而下降；BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)在1kHz-106Hz頻率段內(nèi)具有良好的頻率穩(wěn)定性；在106~107Hz頻率處， BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)有明顯下降。在低頻下，各BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電損耗隨頻率的增加而降低，當(dāng)頻率在100kHz左右，復(fù)合薄膜的介電損耗開(kāi)始上升，這與PVDF在100kHz左右有一個(gè)特征的介電弛豫有關(guān)。研究表明，BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨PVDF：NMP值的變化（1:5-1:10）先增加后降低，1:8時(shí)達(dá)到最大值，介電損耗也大體一致。
關(guān)鍵詞：Ba0.75Sr0.25TiO3 PVDF 陶瓷基復(fù)合薄膜 介電性能
BST matrix composite films prepared by tape casting and dip coating method
1.6萬(wàn)字 36頁(yè) 原創(chuàng)作品，已通過(guò)查重系統(tǒng)
摘要： 本文采用流延法制備了Ba0.75Sr0.25TiO3陶瓷片，再用有機(jī)溶劑N-甲基吡咯烷酮（NMP）與聚偏氟乙烯（PVDF）配制不同溶度的PVDF溶液，最后用浸漬法制備出BST/PVDF復(fù)合薄膜，利用 X 射線衍射 ( XRD )、掃描電子顯微鏡 (SEM )等手段對(duì)材料的物相組成和微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，利用阻抗分析儀等儀器對(duì)材料的介電性能進(jìn)行了研究。
XRD分析表明BST薄膜為鈣鈦礦相，并且PVDF呈β相。SEM分析表明PVDF與Ba0.75Sr0.25TiO3陶瓷片很好地進(jìn)行了復(fù)合，BST/PVDF復(fù)合薄膜呈三層結(jié)構(gòu)PVDF-BST/PVDF-PVDF，PVDF很好地滲透進(jìn)BST陶瓷片孔隙。并且實(shí)驗(yàn)所制備的BST/PVDF復(fù)合薄膜具有良好的柔韌性。
介電頻譜分析表明，在100Hz到1kHz的低頻率段內(nèi)，BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨頻率的增加而下降；BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)在1kHz-106Hz頻率段內(nèi)具有良好的頻率穩(wěn)定性；在106~107Hz頻率處， BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)有明顯下降。在低頻下，各BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電損耗隨頻率的增加而降低，當(dāng)頻率在100kHz左右，復(fù)合薄膜的介電損耗開(kāi)始上升，這與PVDF在100kHz左右有一個(gè)特征的介電弛豫有關(guān)。研究表明，BST/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨PVDF：NMP值的變化（1:5-1:10）先增加后降低，1:8時(shí)達(dá)到最大值，介電損耗也大體一致。
關(guān)鍵詞：Ba0.75Sr0.25TiO3 PVDF 陶瓷基復(fù)合薄膜 介電性能
