二氧化錫半導(dǎo)體陶瓷摻雜改性的研究
The research of doping modification in Tin oxide semiconductor ceramics

1.65萬字 37頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)


摘要 在玻璃行業(yè)要想降低能耗就必須依靠電學(xué)性能和力學(xué)性能都良好的二氧化錫電極的大背景下， 本文利用固相法制備二氧化錫陶瓷電極，并摻雜定量的三氧化二銻（5.8%）和變量的三氧化二鑭（0wt%、0.3wt%、0.5wt%、1.0wt%、1.5wt%、2.0wt%）改善二氧化錫的各種性能，在制備過程中嚴(yán)格控制工藝，保證摻雜的三氧化二鑭和三氧化二銻均勻進(jìn)入二氧化錫粉體中。通過高溫?zé)Y(jié)得到致密的二氧化錫陶瓷。利用多種手段對陶瓷的性能進(jìn)行了表征，分析不同濃度三氧化二鑭的摻雜對二氧化錫陶瓷的影響。結(jié)果表明：隨著摻雜量的增加，試樣的電阻率逐漸降低，體積密度逐漸增大，當(dāng)三氧化二鑭摻雜量為2.0wt%時(shí)，試樣的電阻密度達(dá)到最小值0.084歐姆.厘米，同時(shí)其晶體生長也最為完整。根據(jù)分析的結(jié)果，在文章的最后部分，還對摻雜后的導(dǎo)電機(jī)理和燒結(jié)致密化機(jī)理進(jìn)行了討論。



關(guān)鍵詞： 二氧化錫 ；三氧化二鑭 ；三氧化二銻； 摻雜改性