氧化膜擴(kuò)孔工藝對(duì)鋁電解電容器電性能的影響.doc


約32頁(yè)DOC格式手機(jī)打開展開
氧化膜擴(kuò)孔工藝對(duì)鋁電解電容器電性能的影響,摘要 隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,電子整機(jī)的組裝密度和集成化程度進(jìn)一步增大,鋁電解電容器作為關(guān)鍵的、不可集成的分立元件,正向著小休積、大容量、低成本、高頻低阻抗方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的必須獲得高比容的電容器用鋁箔,而擴(kuò)大鋁箔的內(nèi)表面面積是其中的關(guān)鍵。本文主要研究了純鋁鋁箔多孔陽(yáng)極氧...


內(nèi)容介紹
此文檔由會(huì)員 那年三月 發(fā)布
氧化膜擴(kuò)孔工藝對(duì)鋁電解電容器電性能的影響
摘要 隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,電子整機(jī)的組裝密度和集成化程度進(jìn)一步增大,鋁電解電容器作為關(guān)鍵的、不可集成的分立元件,正向著小休積、大容量、低成本、高頻低阻抗方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的必須獲得高比容的電容器用鋁箔,而擴(kuò)大鋁箔的內(nèi)表面面積是其中的關(guān)鍵。本文主要研究了純鋁鋁箔多孔陽(yáng)極氧化膜的擴(kuò)孔工藝。通過控制硫酸濃度、電流密度進(jìn)行陽(yáng)極氧化,獲得氧化膜厚度及電性能最佳的參數(shù)組合。然后取最佳組合的試樣在濃度為1mol/L磷酸溶液中進(jìn)行時(shí)間為20s、40s和60s的擴(kuò)孔處理。最后采用掃描電鏡對(duì)試樣進(jìn)行了觀察,并對(duì)孔的大小,分布的均勻性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:氧化膜和電性能的最
摘要 隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,電子整機(jī)的組裝密度和集成化程度進(jìn)一步增大,鋁電解電容器作為關(guān)鍵的、不可集成的分立元件,正向著小休積、大容量、低成本、高頻低阻抗方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的必須獲得高比容的電容器用鋁箔,而擴(kuò)大鋁箔的內(nèi)表面面積是其中的關(guān)鍵。本文主要研究了純鋁鋁箔多孔陽(yáng)極氧化膜的擴(kuò)孔工藝。通過控制硫酸濃度、電流密度進(jìn)行陽(yáng)極氧化,獲得氧化膜厚度及電性能最佳的參數(shù)組合。然后取最佳組合的試樣在濃度為1mol/L磷酸溶液中進(jìn)行時(shí)間為20s、40s和60s的擴(kuò)孔處理。最后采用掃描電鏡對(duì)試樣進(jìn)行了觀察,并對(duì)孔的大小,分布的均勻性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:氧化膜和電性能的最