智能電器監(jiān)控單元靜電放電敏感性的實(shí)驗(yàn)研究

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摘要：為研究智能電器監(jiān)控單元的靜電放電敏感性，利用靜電放電發(fā)生器對(duì)設(shè)備機(jī)殼放電進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。根據(jù)靜電放電干擾的耦合途徑以及智能電器監(jiān)控單元的實(shí)際工作情況，選取電源模塊直流側(cè)電壓作為研究智能電器監(jiān)控單元的靜電放電敏感性的對(duì)象，通過頻譜分析得出直流側(cè)對(duì)地電壓和靜電放電電壓間的關(guān)系。裝置采取屏蔽、接地和濾波等抗干擾措施時(shí)其靜電放電敏感性降低，分析直流側(cè)電壓發(fā)生的相應(yīng)變化得出結(jié)論：靜電放電時(shí)，智能電器監(jiān)控單元直流側(cè)對(duì)地電壓與裝置的靜電放電敏感性有一定的相關(guān)性。

關(guān)鍵詞：智能電器監(jiān)控單元，靜電放電，敏感性，實(shí)驗(yàn)研究，電源模塊直流側(cè)電壓，頻譜分析
參 考 文 獻(xiàn)
[1]Wilson Perry F，Ma M T．Fields radiated by electronic discharges[J]．IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，1991，33(1)：10-18．
[2]Caeeavo G，Cerri G．ESD field penetration into a populated metallic enclosure[J]．IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2002，44(1)：243—249．
[3]Graziano Cerri．Theoretical and experimental characterization of transient electromagnetic fields radiated by electrostatic discharge(ESD)currents[J]．IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2002，44(1)：139-146．
[4]Gr~iano Cerri．Modeling of electromagnetic interference induced by electrostatic discharge (ESD) inside resonant structures[J]．IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，2002，44(1)：19Z—ZO1．
[5]Wang K，Pommerenke D，Jian Min Zhang，et a1．The PCB level ESD immunity study by using 3 dimension ESD scan system