一、通用的設計考慮
1、發(fā)射區(qū)的設計 （實際工藝流程中是最后制備成的）
發(fā)射區(qū)的參數(shù)只影響JB、寄生電阻、電容和最終的IC，但不影響JC
設計中通常不通過調節(jié)JB來調節(jié)器件性能
發(fā)射區(qū)設計的要求：
根據(jù)實際需要的電流決定發(fā)射區(qū)的面積
獲得盡可能小的基極電流
獲得盡可能小的發(fā)射區(qū)電阻
使IB穩(wěn)定、可重復
由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度很高  性能的穩(wěn)定和可重復重要
同時為降低發(fā)射極接觸電阻通常利用硅化物工藝
由于EB結空間電荷區(qū)的影響，擴散或注入的發(fā)射區(qū)當WB<100nm以后無法滿足穩(wěn)定工藝的要求。（擴散E區(qū)的結深約為300nm）
對于薄基區(qū)通常采用多晶硅發(fā)射區(qū)，結深可達25nm，但存在re大的問題