異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 hbt.ppt
約23頁PPT格式手機(jī)打開展開
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 hbt,heterojunction bipolar transistor第一節(jié) bjt 中的能帶工程第二節(jié) sige 基區(qū)雙極晶體管第三節(jié) iii－v 族hbt通過改變bjt中半導(dǎo)體材料的組分，在設(shè)計上獲得新的自由度hbt的關(guān)鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
內(nèi)容介紹
此文檔由會員 1406978338 發(fā)布
Heterojunction Bipolar Transistor
第一節(jié) BJT 中的能帶工程
第二節(jié) SiGe 基區(qū)雙極晶體管
第三節(jié) III－V 族HBT
通過改變BJT中半導(dǎo)體材料的組分，在設(shè)計上獲得新的自由度
HBT的關(guān)鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
第一節(jié) BJT 中的能帶工程
第二節(jié) SiGe 基區(qū)雙極晶體管
第三節(jié) III－V 族HBT
通過改變BJT中半導(dǎo)體材料的組分，在設(shè)計上獲得新的自由度
HBT的關(guān)鍵在于減小不同材料之間的晶格失配
