目 錄
第一章 緒論 1
1.1 引言 1
1.2 阻變存儲(chǔ)器的工作機(jī)理 3
1.2.1 熔絲-反熔絲模型 4
1.2.2 電化學(xué)原理（ECM）模型 5
1.2.3 離子價(jià)變（VCM）模型 6
1.3 阻變存儲(chǔ)器模擬的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 7
1.4 Monte Carlo方法模擬 8
1.5 本論文的研究意義與內(nèi)容 9
第二章 基于電化學(xué)原理RRAM的Monte Carlo仿真分析 11
2.1電化學(xué)導(dǎo)電細(xì)絲RRAM的Monte Carlo模擬仿真流程 11
2.2 基于陰極導(dǎo)電細(xì)絲的ECM RRAM的KMC模擬仿真步驟 13
2.3 陰極導(dǎo)電細(xì)絲機(jī)理的RRAM仿真結(jié)果與分析 15
2.3.1仿真I-V曲線及導(dǎo)電細(xì)絲生長(zhǎng)的非均勻性 15
2.3.2 阻變層厚度對(duì)阻變轉(zhuǎn)變時(shí)間的影響 17
2.3.3 導(dǎo)電細(xì)絲的形貌分析 18
2.4 本章小結(jié) 19
第三章 雙極型RRAM器件二維尺寸因素影響的模擬分析 20
3.1 雙極型RRAM結(jié)構(gòu)仿真計(jì)算方法 20
3.2 二維尺度效應(yīng)：器件電學(xué)特性變化 20
3.3二維尺度效應(yīng)：均勻性的改善 21
3.4二維尺度效應(yīng)：局域熱效應(yīng) 22
第四章 VCM原理RRAM的仿真模擬 24
4.1基于勢(shì)阱輔助隧穿效應(yīng)的電子占有率計(jì)算 24
4.2電子占有率計(jì)算模型的建立 26
4.3電子占有率模擬仿真結(jié)果分析 27
4.4雙極型氧空位器件阻變過(guò)程描述與建模 29
4.5 Forming阻變過(guò)程的模擬仿真 30
4.6 Reset阻變過(guò)程的模擬仿真 31
4.7本章總結(jié) 33
第五章 Cu/VOx/W結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器的制備與表征 34
5.1 VOx阻變器件的制備 34
5.2 VOx阻變器件物理特性表征 35
5.3 VOx器件的電學(xué)性能表征與分析 37
5.4 Cu/VOx/W結(jié)構(gòu)器件電學(xué)性質(zhì)與電化學(xué)模型仿真的比較與分析 40
第六章 總結(jié)與展望 41
參考文獻(xiàn) 43
發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明 48
致 謝 50