摻雜TiO2的ZnO-Bi2O3壓敏電阻器的性能及發(fā)展

傅靜 徐政
( 同濟(jì)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院, 上海 200092)
摘要 本文回顧了ZnO壓敏電阻的歷史,闡述了ZnO壓敏電阻器的性能以及當(dāng)前基礎(chǔ)性研究的現(xiàn)狀,并對(duì)其發(fā)展進(jìn)行了展望。壓敏電阻器未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)是生產(chǎn)低壓高能多層式ZnO壓敏電阻器。二種添加劑由于功能不同而加以區(qū)分，我們從理論上分析了Bi2O3和TiO2添加劑的作用機(jī)理。TiO2的添加促進(jìn)了ZnO晶粒的長(zhǎng)大，進(jìn)一步減小了晶界擊穿電壓。特別是毫微米級(jí)膠體TiO2添加劑的使用，為低電壓ZnO壓敏電阻器的制造提出了新的方法。此外，燒結(jié)溫度對(duì)ZnO壓敏電阻的電性能也有著重要影響。一般，低電壓ZnO壓敏陶瓷的適當(dāng)燒結(jié)溫度不應(yīng)超過(guò)1250℃。這些影響為研究低電壓ZnO壓敏電阻提供了有效、合理的方法。

關(guān)鍵詞 ZnO壓敏電阻器 性能 發(fā)展 添加劑 Bi2O3 TiO2 晶粒生長(zhǎng)