Al2O3介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數(shù)值模擬

2萬字 52頁 原創(chuàng)作品，已通過查重系統(tǒng)



摘 要

火箭、衛(wèi)星、宇宙飛船等要受到宇宙射線的輻射；核電站、核潛艇等時刻要受到核輻射的影響。而這些設備中不可或缺的MOS器件在輻射的影響下均會受到損傷。隨著Al2O3介質MOS器件發(fā)展的越來越迅速，其在輻射中受到的影響程度稱為研究的焦點。
經(jīng)過研究，閾值電壓漂移時MOS器件在輻射環(huán)境下工作中受到損傷后最主要的損傷。所以本文利用仿真軟件，模擬了Al2O3介質MOS結構在總劑量輻照損傷下的閾值電壓漂移。本文在器件結構確定的情況下，模擬器件在受到輻射和未受到輻射兩種情況下，受到相同的的總劑量輻射，得到器件的CV曲線。
接著從CV曲線上可以提取出閾值電壓漂移。再據(jù)此算出每個輻照劑量下的氧化層陷阱電荷量。找到氧化層陷阱電荷隨著輻照劑量的變化規(guī)律。

關鍵詞： 空間輻射；總劑量效應；陷阱電荷；數(shù)值模擬