納米多孔硅的形貌控制合成及其表征


摘要：隨著人們對(duì)多孔硅材料的研究，多孔硅在生物醫(yī)學(xué)，太陽能電池，光子器件和傳感器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。以多孔硅為對(duì)象的相關(guān)研究為當(dāng)今國際凝聚態(tài)物理和材料、化學(xué)、生物等研究領(lǐng)域中的熱點(diǎn)。多孔硅在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用與它的孔隙率、形貌特征和光致發(fā)光性能有關(guān)。本文采用電化學(xué)腐蝕法制備納米多孔硅，采用SEM技術(shù)分析多孔硅的表面形貌，研究了腐蝕條件對(duì)多孔硅的孔隙率、厚度、孔徑以及光致發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明，多孔硅的孔隙率隨著腐蝕電流密度和腐蝕時(shí)間的增加而呈線性增大趨勢(shì)，其厚度隨著腐蝕電流密度的增加而呈近似線性增大趨勢(shì)，隨腐蝕時(shí)間的成倍增加而顯著增大