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BP機靈敏度電場強度E的計算方法


頁數(shù):6 字數(shù):3783

BP機靈敏度電場強度E的計算方法

  [摘 要]:如何將在TEM小室中測得的BP機靈敏度dBm值轉(zhuǎn)換為野外測試場人體攜帶時BP機靈敏度電場強度E值?是目前普遍存在和要求解決的一個問題。本文就此作了全面論述并給出了計算方法,在BP機的調(diào)試、檢驗等測試過程中具有應(yīng)用推廣價值。   標準規(guī)定:BP機靈敏度測試應(yīng)在30m野外場進行。但是,由于建立30m野外場對眾多企業(yè)存在著實際困難,目前普遍在矩形TEM橫電磁波傳輸小室中進行,給出的靈敏度是以dBm為單位的電平值,而非標準要求的以μV/m為單位的電場強度值E。如何克服TEM小室內(nèi)電場強度E標定的困難?本文就此展開討論。 1 在射頻耦合器TEM小室中場強E和輸入電平的基本關(guān)系   TEM測試小室的結(jié)構(gòu)是按傳輸線理論設(shè)計的,在IEC489-6-89版本中已有說明,其附錄J是此種裝置的結(jié)構(gòu)與測試指南。   當射頻電能饋入TEM小室,小室兩平板導體之間的中心部位(不是所有的部位!)就建立一個均勻的TEM電磁場,電場分量垂直于平板導體,磁場分量平行于平板導體,兩個分量都與電磁波傳播方向相垂直。其中心部位電場強度:                (1)   可推導出:                (2) 式中:P—信號源入射高頻功率(μW); R—TEM小室輸入阻抗實部(Ω); D—中部導板到上下底板垂距(m); AC—修正系數(shù),其中A為中