附件C：譯文

適用于極端環(huán)境下兼容8051的異步微控制器內(nèi)核的設(shè)計(jì)、制作和測(cè)試

Brent Hollosi

（阿肯色大學(xué)計(jì)算機(jī)工程學(xué)學(xué)士， 2006， UMI編號(hào):1456097）


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摘要:本論文詳述了適用于極端環(huán)境下，與8051兼容的異步微控制器基本組件的設(shè)計(jì)，制作和測(cè)試。為了讓電路能夠在一個(gè)較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行，并且能提供一個(gè)電壓縮放比例以降低功耗。本組件的設(shè)計(jì)采用NCL延遲反應(yīng)邏輯。而這個(gè)設(shè)計(jì)將貫穿于能自動(dòng)生成加工過(guò)程流程的整個(gè)設(shè)計(jì)流程中。設(shè)計(jì)將在MOSIS上制作，且要用到IBM SiGe5AM 0.5um進(jìn)行處理。合成的芯片需要在室內(nèi)低溫下進(jìn)行測(cè)試。

感謝：我要感謝我的論文導(dǎo)師和委員會(huì)，感謝他們的大力支持。我還要感謝給予我無(wú)私支持的母親。特別感謝Matthew Barlow，沒(méi)有他的幫助，論文將無(wú)法完成。