摘 要
本文研究了在高純度鋁（99.99％）的硫酸溶液中，電化學(xué)陽(yáng)極氧化對(duì)陽(yáng)極氧化膜多孔形成的影響。陽(yáng)極氧化的模式取決于要獲得的具有有序納米結(jié)構(gòu)PAOF（多孔陽(yáng)極氧化膜）。結(jié)果表明，在原子力學(xué)顯微鏡下，被研究的陽(yáng)極氧化膜顯示出了多孔結(jié)構(gòu)。后者的參數(shù)如下：孔的直徑（30-35nm）和圓限制周?chē)骟w單元（90nm）.這意味著規(guī)律性的陽(yáng)極氧化鋁納米結(jié)構(gòu)有一個(gè)可能的形成機(jī)制。
1 引言
鋁及鋁合金因?yàn)楦髯缘奶匦栽诠I(yè)總被廣泛應(yīng)用。鋁的特征有伴隨表面形成的一層厚度在5-100nm的致密的氧化鋁鈍化膜而具有的相對(duì)而言高的耐蝕能力。
為了提高鋁及鋁合金的應(yīng)用特性，根據(jù)合成條件能形成一層厚的，腀@氏植煌匭緣難躉さ難艏躉際蹙馱擻昧薣1–4]。
近些年，鋁極氧化膜的應(yīng)用前景得到了拓展。自90年代早期開(kāi)始，該體系的探索旨在模擬自發(fā)形成的薄膜和形成大塊低維度納米材料和期望的常規(guī)性nanocomponents（納米組件）布置的幾何結(jié)構(gòu)的方法。鑒于先進(jìn)國(guó)家的材料的發(fā)展，對(duì)純鋁（99，99%）進(jìn)行陽(yáng)極氧化而獲取膜（厚度從10到400nm或者更多），表明自發(fā)形成孔徑在一到幾十nm的氧化鋁納米多孔[5-11]是具有意義和發(fā)展前景的。這些薄膜用作膜和膜板編制的金屬網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，如半導(dǎo)體，在氧化物形成的聚合物毛孔。根據(jù)期望的結(jié)構(gòu)，各種基于納米器件的半導(dǎo)體可以被開(kāi)發(fā)[8, 12–15]。
鋁陽(yáng)極氧化過(guò)程中電解液解決方案（與一個(gè)多孔形成氧化物的結(jié)構(gòu)）是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，其機(jī)制尚未找到明確的解釋。
目前復(fù)雜研究過(guò)程中的陽(yáng)極氧化與多孔氧化鋁表層是用含有孔尺寸從10到